中美贸易战下，存储器市场波动情形持续受关注，研调机构集邦科技近日举行“Compuforum 2019：资料经济大未来”研讨会，资深协理吴雅婷预估，今年整体DRAM销售额将年减29.3%，整体NAND Flash业绩则将较去年下滑27.3%，不过，两者均将在明年恢复正成长。
展望存储器后市，吴雅婷表示，今年无论DRAM、NAND Flash均供过于求，导致价格持续走跌，全年业绩也将负成长，预估DRAM销售额年减29.3%、NAND Flash年减27.3%。
价格方面，受服务器与智能手机需求下滑，导致消耗量急冻与库存攀高，今年DRAM供过于求情形较去年扩大，而NAND因竞争激烈，加上从2D NAND转向不同程度的3D NAND，造成供给位大幅度增长，虽目前跌幅稍微收敛，但去年累积的库存量仍高，两者价格仍处跌势。全年而言，吴雅婷预估DRAM价格下滑近5成，NAND近4成。
不过，随需求陆续回温与价格变化带出库存回补动能，集邦预期存储器价格在2020年止跌反弹。
技术发展方面，吴雅婷指出，现有存储器面临制程持续微缩的物理极限，目前英特尔、三星与美光等存储器大厂均投入开发下一代解决方案，如MRAM、PRAM和RRAM等。如英特尔的服务器产品Optane，以3DxPoint为设计基础，并具有与市面上服务器模块完全兼容的DIMM，对主板设计厂而言，同样的插槽可依成本考虑，自由更换服务器存储器模块或Optane解决方案。
不过，下一代存储器尚未规模化与标准化，成本仍较高，吴雅婷认为，下一代存储器与现有解决方案各有优缺，下一代能否放量的关键仍是价格。目前DRAM、NAND非常便宜，下一代较没有发展空间，预期2020年DRAM跟NAND价格恢复，次世代才有机会放量。她还强调，不认为下一代存储器会取代现有解决方案，而是在部分终端产品市场与DRAM和NAND共存。